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STB9NK50ZT4

STB9NK50ZT4

STP9NK50Z.pdf
Produktcode: 2225
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Hersteller: ST
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 500
Idd,A: 07.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.72
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
JHGF: SMD
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002970.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002970.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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5+3.52 EUR
10+2.25 EUR
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500+1.22 EUR
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002970.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STB9NK50ZT4 Hersteller : STM stb9nk50z.pdf N-кан. MOSFET 500v, 7.2A, 0.72 Ом, D2PAK, (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb9nk50,stp9nk50_STM.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 7,2 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002970.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 345 St.
3 St. - stock Köln
342 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
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100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L)
Produktcode: 2904
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N101J1HL-2L
verfügbar: 240 St.
erwartet: 57 St.
Anzahl Preis
10+0.044 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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1000uF 25V EXR 13x21mm (EXR102M25B-Hitano)
Produktcode: 2456
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EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (EXR102M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
4000 St. - erwartet 15.06.2026
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCR-14D431K
Produktcode: 2062
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D431K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350
S.var., V: 430(387-473)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 710@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,6
Kapazität, pF: 460
Größe: 14D
verfügbar: 90 St.
erwartet: 2000 St.
2000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCR-07D431K
Produktcode: 1965
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VCR-07D_081201.pdf
VCR-07D431K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350
S.var., V: 430(387-473)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 710@10
Imax.(8/20mcs): 1200
Leistung, Watt: 0,25
Kapazität, pF: 115
Größe: 7D
verfügbar: 3143 St.
118 St. - stock Köln
3025 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH