Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4

STB9NK50ZT4

STP9NK50Z.pdf
Produktcode: 2225
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ST
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 7,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 910/32
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 54 St.
  • 54 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STB9NK50ZT4 nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics stb9nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00002970.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMICROELECTRONICS en.CD00002970.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
81+2.88 EUR
108+1.99 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00002970.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 stb9nk50z.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.25 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 stb9nk50z.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.25 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 stb9nk50z.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.26 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 stb9nk50z.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.26 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+4.05 EUR
81+2.88 EUR
108+1.99 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 287 St.
  • 287 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano)
Produktcode: 2904
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100 pF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
verfügbar: 240 St.
  • 240 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2456
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 3458 St.
  • 3458 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCR-14D431K (S14K275,TVR14431,GNR-14D431K) (Varistor)
Produktcode: 2062
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D431K (S14K275,TVR14431,GNR-14D431K) (Varistor)
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350 V
Varistorspannung, V: 430(387...473) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 710@50 B@A
Imax.(8/20mcs): 4500 A
Leistung, W: 0,6 W
Kapazität, pF: 460 pF
Größe: 14D
verfügbar: 90 St.
  • 90 St. - stock Köln
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet 29.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCR-07D431K (S07K275,TVR07431,GNR-07D431K) (Varistor)
Produktcode: 1965
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VCR-07D_081201.pdf
VCR-07D431K (S07K275,TVR07431,GNR-07D431K) (Varistor)
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350 V
Varistorspannung, V: 430(387...473) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 710@10 B@A
Imax.(8/20mcs): 1200 A
Leistung, W: 0,25 W
Kapazität, pF: 115 pF
Größe: 7D
verfügbar: 118 St.
  • 118 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2376 St.
  • 2376 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH