Technische Details STD10NF10T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD10NF10T4 nach Preis ab 0.51 EUR bis 4.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 9975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 8228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp |
auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD10NF10-T4 |
auf Bestellung 58700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.64 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 220+ | 0.8 EUR |
| 233+ | 0.75 EUR |
| 234+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 2000+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.81 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.81 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 192+ | 0.92 EUR |
| 193+ | 0.88 EUR |
| 195+ | 0.84 EUR |
| 196+ | 0.81 EUR |
| 250+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 193+ | 0.92 EUR |
| 195+ | 0.89 EUR |
| 196+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.71 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2500+ | 0.99 EUR |
| 5000+ | 0.96 EUR |
| STD10NF10T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.62 EUR |
| 86+ | 2.71 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| STD10NF10-T4 |
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)