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STD10P10F6

STD10P10F6 STMicroelectronics

en.DM00116775.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 80 V
auf Bestellung 1432 Stücke:
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Technische Details STD10P10F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 80 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STD10P10F6 STD10P10F6 Hersteller : STMicroelectronics std10p10f6-1850396.pdf MOSFETs P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET
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STD10P10F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00116775.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
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STD10P10F6 STD10P10F6 Hersteller : STMicroelectronics std10p10f6.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10P10F6 Hersteller : STMicroelectronics std10p10f6.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10P10F6 STD10P10F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00116775.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 80 V
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