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STD12NF06LT4 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details STD12NF06LT4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STD12NF06LT4 STD12NF06LT4 STMicroelectronics STD12NF06LT4.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
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STD12NF06LT4 STD12NF06LT4 STMicroelectronics STD12NF06LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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STD12NF06LT4 STD12NF06LT4 STMicroelectronics STD12NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; 60V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
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STD12NF06L-T4
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MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
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Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
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Qualification: AEC-Q101
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; 60V; 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
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STD12NF06L-T4
auf Bestellung 53200 Stücke:
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