STD15P6F6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details STD15P6F6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 35W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote STD15P6F6AG nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ -10 A STripFET F6 Power MOSFET |
auf Bestellung 7914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 35W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 20907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD15P6F6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |