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STD16N65M5

Name: STD16N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2043615-3
Price: 4550.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 189591

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

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Anzahl	Preis
2500+	1.82 EUR

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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Anzahl	Preis
2500+	1.99 EUR
5000+	1.87 EUR

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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22+	3.35 EUR
26+	2.77 EUR
29+	2.47 EUR
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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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37+	3.87 EUR
44+	3.03 EUR
100+	2.38 EUR
250+	2.18 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.57 EUR

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp

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10+	3.71 EUR
100+	2.66 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.16 EUR
2500+	1.83 EUR

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STD16N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V

auf Bestellung 4948 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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4+	5.76 EUR
10+	3.76 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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STD16N65M5

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0006740160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2444 Stücke:

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STD16N65M5

Hersteller : STM

MOSFET 650V 0.299 OHM Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
Produktcode: 181953

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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.

verfügbar: 90 m

erwartet: 50000 m

30000 m - erwartet 03.07.2026
20000 m - erwartet 28.08.2026

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DF10S
Produktcode: 174961

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Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: SMD

auf Bestellung 8845 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIL-0.50-WHITE (20AWG) провод в силиконовой изоляции, белый
Produktcode: 163226

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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід електричний силовий
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600В, зовнішній діаметр: ~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.

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STB12NK80ZT4
Produktcode: 131646

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Transistoren > MOSFET N-CH

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3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 43109

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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 3,3 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512

auf Bestellung 3280 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	0.024 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.017 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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