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STD16N65M5

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 4946 Stücke:
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10+4.51 EUR
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
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STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
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STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2187 Stücke:
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23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
50+2.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
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MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
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Silikon- Draht 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) rot
Produktcode: 181953
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Gruppe: Draht Montage-
Querschnitt, mm²: 0,5 mm²
Aderzahl: mehradrig
Adermaterial: verzinnt Kupfer
Isolierung (Material): Silikon
Farbe: rot
Beschreibung: Draht mehradrig, Material Mantelmaterial: Silikon, beständig bis meisten chemischen Verbindungen. Nenn- Spannung: U₀/U:300/500V, Außen- diametr:~1,8mm, Betriebs- Temperatur: -50...200°C.
verfügbar: 90 m
    erwartet: 50000 m
    • 30000 m - erwartet 10.07.2026
    • 20000 m - erwartet 02.09.2026
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    DF10S
    Produktcode: 174961
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    		DF10S-D.PDF DFxxS.pdf
    DF10S
    Hersteller: SEP
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
    Gehäuse: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
    Sperrspannung Urev, V: 1000 V
    Durchlassstrom Idir, A: 1 A
    Typ der Diodenbrücke: Einphasig
    Kann ersetzen:: DB101S, DB102S, DB103S, DB104S, DB105S, DB106S, DB107S, DB101GS, DB102GS, DB103G,S DB104GS, DB105GS, DB106GS, DB107GS, DF005S, DF01S, DF02S, DF04S, DF06S, DF08S
    Montage: SMD
    Impulsstrom, A: 30 A
    auf Bestellung 5530 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SIL-0.50-WHITE (20AWG) Draht in Silikon- Isolierung, weiß
    Produktcode: 163226
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    SIL-0.50-WHITE (20AWG) Draht in Silikon- Isolierung, weiß
    Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
    Gruppe: Draht elektrisch Stark-
    Querschnitt, mm²: 0,5 mm²
    Aderzahl: mehradrig
    Adermaterial: verzinnt Kupfer
    Isolierung (Material): Silikon
    Farbe: weiß
    Beschreibung: Draht mehradrig, Material Mantelmaterial: Silikon, beständig bis meisten chemischen Verbindungen. Nenn- Spannung: 600V, Außen- Durchmesser: ~1,8mm, Betriebs- Temperatur: -50...200°C.
    Produkt ist nicht verfügbar
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    STB12NK80ZT4
    Produktcode: 131646
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    		en.CD00003379.pdf
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
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    3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (SMD-Widerstand)
    Produktcode: 43109
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    3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (SMD-Widerstand)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
    Nennwiderstand: 3,3 Ohm
    Toleranz: ±5%
    P Nenn., W: 1 W
    U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
    Bauform: 2512
    auf Bestellung 3050 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.029 EUR
    100+0.024 EUR
    1000+0.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
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