STD16N65M5


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Produktcode: 189591
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.45 EUR
5000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.45 EUR
5000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.68 EUR
23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
50+2.45 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
44+3.74 EUR
100+2.93 EUR
250+2.69 EUR
500+2.37 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
44+3.88 EUR
100+3.09 EUR
250+2.92 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.4 EUR
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STD16N65M5 STD16N65M5 STMICROELECTRONICS en.CD00288956.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
45+5.22 EUR
100+3.67 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD16N65M5 std16n65m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.45 EUR
5000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.45 EUR
5000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.68 EUR
23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
50+2.45 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.77 EUR
44+3.74 EUR
100+2.93 EUR
250+2.69 EUR
500+2.37 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.77 EUR
44+3.88 EUR
100+3.09 EUR
250+2.92 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
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1+6.94 EUR
10+4.55 EUR
100+3.17 EUR
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2500+2.4 EUR
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Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
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10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
45+5.22 EUR
100+3.67 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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