STD1NK80ZT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details STD1NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD1NK80ZT4 nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A |
auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) |
auf Bestellung 4751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK80ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STD1NK80ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD1NK80ZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
MOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.92 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2500+ | 0.68 EUR |
| 5000+ | 0.63 EUR |
| STD1NK80ZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
auf Bestellung 4751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 1.97 EUR |
| 13+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| STD1NK80ZT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD1NK80ZT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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