STD20NF06LAG STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STD20NF06LAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD20NF06LAG nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ 24 A STripFET II Power MOSFET |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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| STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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STD20NF06LAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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