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STD20NF20

STD20NF20 STMicroelectronics

1529161373319013cd001.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details STD20NF20 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics 1529161373319013cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
31+2.33 EUR
34+2.13 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00150587.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
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5+3.91 EUR
10+2.67 EUR
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500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00150587.pdf MOSFETs Low charge STripFET
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS25721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS25721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics 1529161373319013cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD20NF20 Hersteller : ST en.CD00150587.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R STD20NF20 TSTD20NF20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
10+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00150587.pdf MOSFET N-CH 200V 18A D-PAK
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00150587.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
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STD20NF20 STD20NF20 Hersteller : STMicroelectronics 1529161373319013cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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