STD20NF20 STMicroelectronics
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Technische Details STD20NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STD20NF20 nach Preis ab 1.44 EUR bis 8.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Low charge STripFET |
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STD20NF20 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STD20NF20 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| STD20NF20 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R STD20NF20 TSTD20NF20 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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| STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
MOSFET N-CH 200V 18A D-PAK |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V |
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STD20NF20 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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