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STD26P3LLH6

STD26P3LLH6 STMicroelectronics

1017321841458386dm00063009.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details STD26P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.94 EUR
7500+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 JSMicro Semiconductor TSTD26P3LLH6_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.83 EUR
101+1.73 EUR
250+1.63 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 24899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
148+1.45 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6.pdf MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
auf Bestellung 6507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.93 EUR
100+1.31 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 31024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 24899 Stücke:
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68+3.7 EUR
100+2.34 EUR
148+1.45 EUR
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1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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STD26P3LLH6 1017321841458386dm00063009.pdf
STD26P3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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STD26P3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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STD26P3LLH6 TSTD26P3LLH6_JSM_JSMICRO_0001.pdf
STD26P3LLH6
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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STD26P3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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AnzahlPrivatkunde
100+2.34 EUR
148+1.45 EUR
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STD26P3LLH6
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MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
auf Bestellung 6507 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.75 EUR
10+1.93 EUR
100+1.31 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 31024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD26P3LLH6 SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD26P3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 24899 Stücke:
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68+3.7 EUR
100+2.34 EUR
148+1.45 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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