STD26P3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STD26P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD26P3LLH6 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI |
auf Bestellung 6507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 37997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 26079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD26P3LLH6 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD26P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |