STD2N105K5 STMicroelectronics
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Technische Details STD2N105K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.
Weitere Produktangebote STD2N105K5 nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STD2N105K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD2N105K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD2N105K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 7392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD2N105K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD2N105K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 8Ω Drain current: 0.95A Power dissipation: 60W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1.05kV Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STD2N105K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STD2N105K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.46 EUR |
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 2.75 EUR |
| 68+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.07 EUR |
| 200+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| 2000+ | 1.55 EUR |
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 7392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.62 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 250+ | 2.37 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.73 EUR |
| 2500+ | 1.63 EUR |
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| 50+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD2N105K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)