STD2NK90Z-1 STMicroelectronics
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Technische Details STD2NK90Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STD2NK90Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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