STD2NK90ZT4
Produktcode: 41387
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 900
Idd,A: 02.01.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19.5
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STD2NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD2NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 5396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD2NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD2NK90ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 22718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD2NK90ZT4 | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD2NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
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