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STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4

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Produktcode: 41387
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 2,1 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 485/19.5
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics std2nk90z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
5000+0.94 EUR
10000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics std2nk90z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics STD2NK90Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.82 EUR
43+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 5393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.56 EUR
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STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005444353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 22476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
71+3.3 EUR
102+2.12 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.3 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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