STD30N6LF6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ 24 A STripFET F6 Power MOSFET
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.16 EUR |
| 10+ | 1.50 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2500+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.65 EUR |
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Technische Details STD30N6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N6LF6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD30N6LF6AG nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STD30N6LF6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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STD30N6LF6AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N6LF6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STD30N6LF6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD30N6LF6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD30N6LF6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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