STD30NF06LT4 STMicroelectronics
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Technische Details STD30NF06LT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STD30NF06LT4 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : TECH PUBLIC |
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STD30NF06L-T4 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD30NF06LT4 Produktcode: 57766 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 60 Idd,A: 35 Rds(on), Ohm: 0.028 Ciss, pF/Qg, nC: 1600/23 |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD30NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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