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STD30NF06LT4

STD30NF06L.pdf
Produktcode: 57766
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Hersteller: ST
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/23
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics std30nf06lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.08 EUR
108+1.63 EUR
126+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011141972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 164822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
111+1.95 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics std30nf06lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.87 EUR
90+1.96 EUR
91+1.9 EUR
108+1.56 EUR
126+1.32 EUR
250+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics std30nf06lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.87 EUR
90+1.92 EUR
91+1.83 EUR
108+1.48 EUR
126+1.21 EUR
250+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics std30nf06lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.22 EUR
86+2.01 EUR
108+1.54 EUR
126+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics STD30NF06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMICROELECTRONICS STD30NF06L.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 161897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
97+2.42 EUR
110+1.96 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 STMicroelectronics STD30NF06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD30NF06L-T4
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STD30NF06LT4 std30nf06lt4.pdf
STD30NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.08 EUR
108+1.63 EUR
126+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.84 EUR
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STD30NF06LT4 SGST-S-A0011141972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD30NF06LT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 164822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.53 EUR
111+1.95 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD30NF06LT4 std30nf06lt4.pdf
STD30NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.87 EUR
90+1.96 EUR
91+1.9 EUR
108+1.56 EUR
126+1.32 EUR
250+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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STD30NF06LT4 std30nf06lt4.pdf
STD30NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.87 EUR
90+1.92 EUR
91+1.83 EUR
108+1.48 EUR
126+1.21 EUR
250+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
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STD30NF06LT4
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Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
56+3.22 EUR
86+2.01 EUR
108+1.54 EUR
126+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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STD30NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.69 EUR
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50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD30NF06LT4 STD30NF06L.pdf
STD30NF06LT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 161897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.57 EUR
97+2.42 EUR
110+1.96 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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STD30NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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