STD3N95K5AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 4.39 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
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Technische Details STD3N95K5AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm.
Weitere Produktangebote STD3N95K5AG nach Preis ab 1.99 EUR bis 4.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD3N95K5AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET |
auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD3N95K5AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3N95K5AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm |
auf Bestellung 2070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3N95K5AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm |
auf Bestellung 2070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD3N95K5AG | Hersteller : STMicroelectronics |
STD3N95K5AG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD3N95K5AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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