STD3NK80ZT4 STMicroelectronics
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Technische Details STD3NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD3NK80ZT4 nach Preis ab 0.44 EUR bis 3.22 EUR
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD3NK80ZT4 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80ZT4 TSTD3NK80zt-4 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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