STD3NK80ZT4 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details STD3NK80ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMicroelectronics std3nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.18 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMicroelectronics std3nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.2 EUR
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.93 EUR
37+2.33 EUR
42+2.05 EUR
58+1.49 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.34 EUR
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STD3NK80ZT4 STD3NK80ZT4 STMICROELECTRONICS en.CD00003377.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STD3NK80ZT4 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80ZT4 TSTD3NK80zt-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.3 EUR
5000+1.18 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 691 Stücke:
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30+2.93 EUR
37+2.33 EUR
42+2.05 EUR
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500+1.04 EUR
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STD3NK80ZT4 en.CD00003377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4 en.CD00003377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 3913 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4 SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 8473 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4 en.CD00003377.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8473 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4 en.CD00003377.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80ZT4 TSTD3NK80zt-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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