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STD45N10F7

STD45N10F7 STMicroelectronics

en.DM00081278.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.07 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details STD45N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STD45N10F7 nach Preis ab 1.02 EUR bis 3.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD45N10F7 STD45N10F7 STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
44+1.94 EUR
50+1.7 EUR
61+1.42 EUR
70+1.23 EUR
100+1.07 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD45N10F7 STD45N10F7 STMICROELECTRONICS en.DM00081278.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD45N10F7 STD45N10F7 STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
10+2.36 EUR
100+1.62 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD45N10F7 STD45N10F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003112167-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
92+2.53 EUR
126+1.7 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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STD45N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.45 EUR
44+1.94 EUR
50+1.7 EUR
61+1.42 EUR
70+1.23 EUR
100+1.07 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STD45N10F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 45A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STD45N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.01 EUR
10+2.36 EUR
100+1.62 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD45N10F7 SGST-S-A0003112167-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD45N10F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.5 EUR
92+2.53 EUR
126+1.7 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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