Weitere Produktangebote STD4NK50ZT4 nach Preis ab 0.53 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD4NK50ZT4 | Hersteller : STM |
(N-CH 500B 2,5A 3 Om TO-252) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальный ПТ , VDS,В = 500, ID = 3 A, Ptot,Вт = 45,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD4NK50ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
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