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STD4NK60ZT4

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Produktcode: 72559
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2193 Stücke:
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216+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMicroelectronics STD4NK60ZT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.76 EUR
59+1.22 EUR
100+0.88 EUR
200+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.29 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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1+3.61 EUR
10+2.32 EUR
100+1.47 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.1 EUR
2500+1.06 EUR
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
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STD4NK60ZT4 ST en.CD00003002.pdf N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STD4NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD4NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STD4NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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Hersteller: STMicroelectronics
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STD4NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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STD4NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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Hersteller: ST
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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