STD5NK40Z-1 STMicroelectronics
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Technische Details STD5NK40Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STD5NK40Z-1 nach Preis ab 0.57 EUR bis 4.24 EUR
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK Technology: SuperMesh™ Mounting: THT Power dissipation: 45W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: I2PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A On-state resistance: 1800mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK Technology: SuperMesh™ Mounting: THT Power dissipation: 45W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: I2PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A On-state resistance: 1800mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STD5NK40Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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