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STD5NK40Z-1

STD5NK40Z-1 STMicroelectronics

cd00003039.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+0.86 EUR
220+0.77 EUR
236+0.69 EUR
525+0.62 EUR
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Technische Details STD5NK40Z-1 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics cd00003039.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics STD5NK40ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
79+1.08 EUR
100+0.86 EUR
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STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
75+1.68 EUR
150+1.52 EUR
525+1.31 EUR
1050+1.21 EUR
2025+1.13 EUR
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STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf MOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A
auf Bestellung 820 Stücke:
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1+4.02 EUR
10+1.92 EUR
100+1.56 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.08 EUR
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STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5604 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
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Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A
auf Bestellung 820 Stücke:
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1+4.02 EUR
10+1.92 EUR
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STD5NK40Z-1
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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