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STD5NK60ZT4

STD5NK60ZT4 VBsemi

en.CD00003042.pdf
Produktcode: 191547
Hersteller: VBsemi
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 99 Stück:
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4
Produktcode: 39383
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Hersteller : ST stp5nk60zfp-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics std5nk60zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics std5nk60zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003042.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
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STD5NK60ZT4 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A5CE249E60D2&compId=std5nk60zt4.pdf?ci_sign=d314496f4634e2bd0bfe2f7b9c792ea090bf0725 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
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78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
verfügbar: 1258 Stück
30 Stück - stock Köln
1228 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.18 EUR
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 1791 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 9464 Stück
60 Stück - stock Köln
9404 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
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BAT54S
Produktcode: 151482
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jcsts02360-1-datasheet.pdf
BAT54S
Hersteller: JCST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 30 V
If(A): 0,4 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
auf Bestellung 625 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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7,5 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2182
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rc_series_20150401_1.pdf
7,5 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 7,5 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4601 Stück
1200 Stück - stock Köln
3401 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 11.11.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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