Weitere Produktangebote STD60NF06T4 nach Preis ab 0.47 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD60NF06-T4 |
auf Bestellung 10080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD60NF06T4 | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD60NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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