STD60NF55LT4 STMicroelectronics
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Technische Details STD60NF55LT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STD60NF55LT4 nach Preis ab 0.77 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2707 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 55 Volt 60 Amp |
auf Bestellung 3546 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD60NF55LT4 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STD60NF55LT4 STD60NF55L TSTD60NF55L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD60NF55LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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