STD80N240K6 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 105W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.197ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.38 EUR |
| 500+ | 6.21 EUR |
| 1000+ | 6.02 EUR |
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Technische Details STD80N240K6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 105W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.197ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD80N240K6 nach Preis ab 4.16 EUR bis 13.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STD80N240K6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD80N240K6 | STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP., Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD80N240K6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD80N240K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.07 EUR |
| 10+ | 6.95 EUR |
| 100+ | 5.11 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| 2500+ | 4.16 EUR |
| STD80N240K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.31 EUR |
| 10+ | 7.09 EUR |
| 100+ | 5.12 EUR |
| STD80N240K6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.45 EUR |
| 28+ | 8.59 EUR |
| 100+ | 6.38 EUR |
| 500+ | 6.21 EUR |
| 1000+ | 6.02 EUR |