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STD80N3LL

STD80N3LL STMicroelectronics

std80n3ll.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
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Technische Details STD80N3LL STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMicroelectronics std80n3ll-1850444.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
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10+1.30 EUR
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001296-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001296-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD80N3LL Hersteller : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD80N3LL STD80N3LL Hersteller : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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