STD8N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.64 EUR |
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Technische Details STD8N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD8N65M5 nach Preis ab 1.25 EUR bis 3.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V |
auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD8N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |