STD8N65M5 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.57 EUR |
| 78+ | 2.25 EUR |
| 79+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 250+ | 1.84 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
70 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STD8N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.
Weitere Produktangebote STD8N65M5 nach Preis ab 1.52 EUR bis 7.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss |
auf Bestellung 1327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STD8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| STD8N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.57 EUR |
| 78+ | 2.2 EUR |
| 79+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 250+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| STD8N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.24 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 2500+ | 2.12 EUR |
| STD8N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 4.32 EUR |
| 50+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 3 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| STD8N65M5 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.72 EUR |
| 48+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |