STD95N4F3 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STD95N4F3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.
Weitere Produktangebote STD95N4F3 nach Preis ab 1.08 EUR bis 3.40 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 40V 5.4mOhm 80A |
auf Bestellung 3616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 4747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD95N4F3 | Hersteller : ST |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD95N4F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STD95N4F3 SMD N channel transistors |
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