STD9N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.80 EUR |
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Technische Details STD9N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD9N60M2 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STD9N60M2 Produktcode: 108710
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Hersteller : STMicroelectronics |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| STD9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
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