STD9N60M2 STMicroelectronics


en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STD9N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote STD9N60M2 nach Preis ab 0.84 EUR bis 3.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics en.dm00080324.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.05 EUR
95+1.83 EUR
123+1.38 EUR
200+1.26 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMICROELECTRONICS 2819063.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
119+1.95 EUR
161+1.33 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMICROELECTRONICS 2819063.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
119+1.95 EUR
161+1.33 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH