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STE53NC50

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Produktcode: 43603
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics en.CD00002866.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
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1+83.36 EUR
10+62.21 EUR
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STE53NC50 STE53NC50 STMICROELECTRONICS SGSTS27578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 460W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics STE53NC50-DTE.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
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Hersteller: STMicroelectronics
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Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 460W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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10+59.18 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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