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STE53NC50

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Produktcode: 43603
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics STE53NC50-DTE.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+47.48 EUR
5+40.73 EUR
10+39.1 EUR
20+37.56 EUR
50+35.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics 8623.pdf STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+48.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+57.67 EUR
5+55.94 EUR
10+43.72 EUR
30+42.32 EUR
50+41.27 EUR
100+38.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+57.86 EUR
5+54.91 EUR
10+42.23 EUR
30+40.2 EUR
50+38.22 EUR
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STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics en.CD00002866.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp
auf Bestellung 114 Stücke:
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1+75.9 EUR
10+56.68 EUR
100+56.66 EUR
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STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics en.CD00002866.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.36 EUR
10+62.21 EUR
50+53.22 EUR
100+52.75 EUR
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STE53NC50 STE53NC50 STMICROELECTRONICS SGSTS27578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 460W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+95.84 EUR
5+82.44 EUR
10+70.07 EUR
50+60.32 EUR
100+50.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: STMicroelectronics
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Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
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STE53NC50
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 460W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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