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STF10NM60N

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Hersteller: ST
N-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n
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Technische Details STF10NM60N ST

Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm.

Weitere Produktangebote STF10NM60N nach Preis ab 1.63 EUR bis 8.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.45 EUR
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.46 EUR
2000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.8 EUR
25+3.47 EUR
31+2.8 EUR
41+2.09 EUR
50+1.78 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.11 EUR
100+3.67 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.83 EUR
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STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STF10NM60N STF10NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002027437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STF10NM60N dm00252.pdf
STF10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.45 EUR
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF10NM60N dm00252.pdf
STF10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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STF10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 153 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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25+3.47 EUR
31+2.8 EUR
41+2.09 EUR
50+1.78 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STF10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
auf Bestellung 738 Stücke:
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1+7.02 EUR
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100+3.67 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.83 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.02 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STF10NM60N SGST-S-A0002027437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF10NM60N
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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