
STF10NM60N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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34+ | 2.12 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
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Technische Details STF10NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF10NM60N nach Preis ab 0.93 EUR bis 6.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STF10NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Gate charge: 19nC |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF10NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
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STF10NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF10NM60N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF10NM60N | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF10NM60N Produktcode: 53892
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Hersteller : ST |
![]() Uds,V: 650 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 Ciss, pF/Qg, nC: 540/19 |
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