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Technische Details STF11NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.
Weitere Produktangebote STF11NM50N
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STF11NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
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| STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
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STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V |
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STF11NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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