STF11NM65N STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 108+ | 1.35 EUR |
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Technische Details STF11NM65N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote STF11NM65N nach Preis ab 1.35 EUR bis 1.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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STF11NM65N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF11NM65N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF11NM65N |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STF11NM65N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF11NM65N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF11NM65N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V |
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