STF12N50DM2


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Produktcode: 181822
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.35Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.62 EUR
43+1.7 EUR
48+1.5 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+2.01 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
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STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
50+2.12 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.35Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
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