STF13N65M2 STMicroelectronics
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Technische Details STF13N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm.
Weitere Produktangebote STF13N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STF13N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF13N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm |
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STF13N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF13N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF13N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF13N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V |
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