STF13NM60ND STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 4.65 EUR |
| 50+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 3.02 EUR |
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Technische Details STF13NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF13NM60ND nach Preis ab 1.44 EUR bis 5.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13NM60ND | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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