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STF19NF20

STF19NF20 STMicroelectronics

en.CD00142659.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.14 EUR
50+1.23 EUR
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Technische Details STF19NF20 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF19NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.5 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF19NF20 STF19NF20 STMicroelectronics en.CD00142659.pdf MOSFETs N Ch 200V 15A Pwr MOSFET
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+1.37 EUR
100+1.26 EUR
500+1.11 EUR
2000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF19NF20 STF19NF20 STMicroelectronics STB19NF20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STF19NF20 STF19NF20 STMICROELECTRONICS en.CD00142659.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF19NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.5 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF19NF20 ST en.CD00142659.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 160mOhm; 15A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF19NF20 TSTF19NF20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF19NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.5 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 160mOhm; 15A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF19NF20 TSTF19NF20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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