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STF22NM60N

STF22NM60N STMicroelectronics

STF22NM60N.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 72 Stücke:
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13+5.61 EUR
22+3.27 EUR
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Technische Details STF22NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF22NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STF22NM60N STF22NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00237949.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
auf Bestellung 431 Stücke:
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1+8.27 EUR
10+5.39 EUR
100+4.47 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.2 EUR
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STF22NM60N STF22NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.97 EUR
50+7.04 EUR
100+6.47 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22NM60N STF22NM60N Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF22NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STF22NM60N
Produktcode: 171989
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STF22NM60N STF22NM60N Hersteller : STMicroelectronics cd00237949.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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