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STF24N60M2 транзистор

Produktcode: 216827
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STF24N60M2 STF24N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF24N60M2 STF24N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00071944.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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STF24N60M2 STF24N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00071944.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
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100+2.42 EUR
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STF24N60M2 STF24N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS51301-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STF24N60M2 Hersteller : ST en.DM00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
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STF24N60M2 STF24N60M2 Hersteller : STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
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22uF 100V ECR 8x12mm (ECR220M2AB-Hitano)
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22uF 100V ECR 8x12mm (ECR220M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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22uF 35V ECR 5x11mm (ECR220M35B-Hitano)
Produktcode: 2958
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22uF 35V ECR 5x11mm (ECR220M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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22uF 25V ECR 5x11mm (ECR220M25B-Hitano)
Produktcode: 1926
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22uF 25V ECR 5x11mm (ECR220M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 6729 St.:
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10uF 100V ECR 6x11mm (ECR100M2AB-Hitano)
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10uF 100V ECR 6x11mm (ECR100M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 4888 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.018 EUR
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10uF 35V ECR 5x11mm (ECR100M35B-Hitano)
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10uF 35V ECR 5x11mm (ECR100M35B-Hitano)
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 2986 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10000 St. - erwartet
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100+0.012 EUR
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