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STF24NM60N

STF24NM60N STMicroelectronics

en.cd00286763.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.42 EUR
100+2.27 EUR
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Technische Details STF24NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics en.cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics 39cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.73 EUR
100+2.55 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics STF24NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.77 EUR
17+5.15 EUR
31+2.76 EUR
37+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics en.CD00286763.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
50+4.65 EUR
100+4.22 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics en.CD00286763.pdf MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.2 EUR
100+4.63 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.37 EUR
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STF24NM60N STF24NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
54+4.32 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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Description: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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