STF27N60M2-EP STMicroelectronics
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Technische Details STF27N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STF27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
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STF27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V |
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STF27N60M2-EP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
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STF27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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