STF28NM50N


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Produktcode: 84344
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics stf28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.71 EUR
16+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.18 EUR
10+6.64 EUR
100+6.11 EUR
500+5.4 EUR
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STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.28 EUR
50+6.63 EUR
100+6.09 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Pulsed drain current: 84A
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
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Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
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