
STF28NM50N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: MDmesh™ ||
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 84A
Mounting: THT
Case: TO220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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15+ | 5.11 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
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Technische Details STF28NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STF28NM50N nach Preis ab 2.62 EUR bis 11.04 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STF28NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W Drain-source voltage: 550V Drain current: 13A On-state resistance: 158mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 50nC Technology: MDmesh™ || Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 84A Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF28NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF28NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF28NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF28NM50N Produktcode: 84344
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