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STF31N65M5 Transistor

Produktcode: 211402
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF31N65M5 STF31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
50+4.64 EUR
100+4.24 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STF31N65M5 STF31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+5.05 EUR
500+3.8 EUR
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STF31N65M5 STF31N65M5 STMICROELECTRONICS 4726804.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF31N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.148 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STF31N65M5 en.DM00049148.pdf
STF31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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50+4.64 EUR
100+4.24 EUR
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STF31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
auf Bestellung 129 Stücke:
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STF31N65M5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF31N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.148 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
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Gehause: SO-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung U-isol, kV: 3,7 kV
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -40…+100°C
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
400 St. - erwartet 25.07.2026
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1,5 kOhm 5% 2W bedrahtet (MFR200SSJTB-1K5R – Hitano)
Produktcode: 55141
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1,5 kOhm 5% 2W bedrahtet (MFR200SSJTB-1K5R – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 1,5 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%, ±100ppm
P Nenn., W: 2 W
U Betriebs., V: 350 V
Abmessungen: 9x3 mm; Dвив. = 0,7 mm
Typ: метало-плівкові мініатюрні
-55...+155°C
verfügbar: 2040 St.
  • 240 St. - stock Köln
  • 1800 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.042 EUR
10+0.032 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22 Ohm 5% 5W bedrahtet (MOR500SJTB-22R-Hitano) (Metalloxid-Widerstände)
Produktcode: 50064
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22 Ohm 5% 5W bedrahtet (MOR500SJTB-22R-Hitano) (Metalloxid-Widerstände)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 5W (außer Zement-)
Nennwert: 22 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
Nennleistung, W: 5 W
Betriebsspannung, V: 700 V
Abmessungen: 17,0x6,0mm; D Anschl.=0,76 mm
Typ: Metalloxid
auf Bestellung 2 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.13 EUR
100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4746A
Produktcode: 38399
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1N4728A-1N4764A.pdf
1N4746A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 18 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 14 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0.06...0.09 %/°C
auf Bestellung 246 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.095 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MER 3,3uF 400V K (+/-10%), P = 27,5mm, 17x25x30mm (MER335K2GBA-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 23350
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MER_070523.pdf
MER 3,3uF 400V K (+/-10%), P = 27,5mm, 17x25x30mm (MER335K2GBA-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 3,3 µF
Nennspannung, V: 400 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 27,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 17x25x30 mm
Part Nummer: MER335K2GBA
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 744 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.34 EUR
10+1.11 EUR
100+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
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