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STF31N65M5 транзистор

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STF31N65M5 STF31N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.52 EUR
50+3.9 EUR
100+3.56 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STF31N65M5 STF31N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00049148.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
auf Bestellung 129 Stücke:
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10+4.24 EUR
500+3.2 EUR
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STF31N65M5 STF31N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS 4726804.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF31N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.148 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STF31N65M5 STF31N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb31n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF31N65M5 Hersteller : STM en.DM00049148.pdf MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Gehäuse: SO-8
Typ: Драйвер затвора транзистора
U-isol, kV: 3,7 kV
Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
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Resistenz: 1,5 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 350V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,7mm
Typ: Metall-folien miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 2040 St.
240 St. - stock Köln
1800 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.027 EUR
100+0.017 EUR
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22 Ohm 5% 5W (MOR500SJTB-22R-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Resistenz: 22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 5W
U Betriebs.,V: 1000V
Abmessungen: 17,0x6,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid
auf Bestellung 72 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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1N4746A
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 14mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.06 до 0.09 %/°C
auf Bestellung 257 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
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MER 3,3uF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 17x25x30mm (MER335K2GBA-Hitano) (Folienkondensator)
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MER 3,3uF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 17x25x30mm (MER335K2GBA-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 3,3uF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 17x25x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER335K2GBA
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 746 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.93 EUR
100+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
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