STF33N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 5.24 EUR |
| 21+ | 4.13 EUR |
| 24+ | 3.63 EUR |
| 50+ | 2.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STF33N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STF33N60M2 nach Preis ab 2.93 EUR bis 8.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF33N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STF33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STF33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STF33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.71 EUR |
| 50+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| STF33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.63 EUR |
| 10+ | 5.65 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.28 EUR |
| 2000+ | 3.08 EUR |
| STF33N60M2 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STF33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)