STF36N60M6 STMicroelectronics
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Technische Details STF36N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STF36N60M6 nach Preis ab 4.76 EUR bis 10.86 EUR
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF36N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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