STF40N60M2 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details STF40N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STF40N60M2 STF40N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807661-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Pulsed drain current: 136A
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
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STF40N60M2 SGST-S-A0002807661-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Pulsed drain current: 136A
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
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Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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