STF40N65M2 STMicroelectronics
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Technische Details STF40N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF40N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 32A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Pulsed drain current: 128A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 32A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Pulsed drain current: 128A |
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