STF40N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.34 EUR |
| 10+ | 5.72 EUR |
| 100+ | 4.72 EUR |
| 500+ | 4.07 EUR |
| 1000+ | 3.85 EUR |
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Technische Details STF40N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STF40N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF40N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 128A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 99mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±25V |
Produkt ist nicht verfügbar |