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STF4N90K5

STF4N90K5 STMicroelectronics

en.DM00340030.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.08 EUR
46+1.86 EUR
53+1.63 EUR
54+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Technische Details STF4N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
50+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 1191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.5 EUR
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STF4N90K5 STF4N90K5 STMICROELECTRONICS en.DM00340030.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
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MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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AnzahlPrivatkunde
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10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
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1000+1.64 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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