STF5N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STF5N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STF5N60M2
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STF5N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STF5N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF5N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF5N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF5N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 100 V |
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STF5N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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